浙江：09年7月高等教育自学考试线性电子电路试题

浙江省2009年7月高等教育自学考试
线性电子电路试题
课程代码：02340

一、填空题(本大题共10小题，每小题1分，共10分)
请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均无分。
1.在P型半导体中，导电时以______为主。
2.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于______。
3.晶体三极管工作在放大区时，IC=______IB。
4.晶体三极管具有放大作用的外部条件是发射结正向偏置和______结反向偏置。
5.场效应管工作在非饱和区时，其ID和VDS之间呈______关系。
6.通常将开始形成反型层所需的VGS值称为______电压。
7.三种晶体三极管基本组态放大电路中，______组态输入电阻最小。　
8.已知某晶体三极管的高频参数fT、β，则共基截止频率fα约为______。
9.需要一个阻抗变换电路，其输入电阻小，应引入______负反馈电路。
10.为充分提高负反馈的效果，串联负反馈要求信号源内阻______。

二、单项选择题(本大题共15小题，每小题2分，共30分)
在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。
1.半导体中的载流子是指（ ）
A.自由电子
B.空穴
C.离子
D.自由电子和空穴

2.稳压二极管在稳压状态时，它的PN结处在______状态。（ ）
A.反向截止
B.反向击穿
C.正向导通
D.零偏

3.测得三极管IB=30μA时，IC=2.4mA，而IB=40μA时，IC=3mA，则该管的交流电流放大倍数为（ ）
A.80
B.60
C.75
D.100

4.晶体三极管的输出特性曲线分为四个区，请问哪个区具有基区宽度调制效应？（ ）
A.饱和区
B.截止区
C.放大区
D.击穿区

5.根据场效应管的转移特性，可知场效应管是一种______器件。（ ）
A.电压控制电压源
B.电流控制电压源
C.电压控制电流源
D.电流控制电流源

6.某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自源极流出，大小为8mA，则该管是（ ）
A.P沟道耗尽型MOS管
B.N沟道耗尽型MOS管
C.P沟道增强型MOS管
D.N沟道增强型MOS管

7.共集电极放大电路的特点之一是（ ）
A.输入电阻高
B.电压增益大
C.输入输出反相
D.输出电阻高

8.集成运算放大器实质上是一种（ ）
A.交流放大器
B.高增益的交流放大器
C.高增益的直接耦合放大器
D.高增益的高频放大器

9.负反馈可以改善放大器的性能，问关于放大器下述哪种说法不正确？（ ）
A.减少放大器的增益
B.改变输入电阻
C.改变输出电阻
D.改善信号源的噪声系数

10.某放大电路的电压增益为40dB，而加入负反馈后变为6dB，它的反馈深度F为（ ）
A.30dB
B.34dB
C.46dB
D.50dB

11.温度增加时，在ID不变的情况下，晶体二极管的VD（on）将（ ）
A.增大
B.减小
C.不变
D.未知

12.已知某晶体三极管的β=99，则该管的共基电流放大系数α为（ ）
A.1.00
B.0.995
C.0.99
D.0.985

13.当场效应管的VGS<VGS(th)时，则该管工作在（ ）
A.饱和区
B.非饱和区
C.击穿区
D.截止区

14.要求晶体管工作在放大区，若是NPN晶体管，则三个电极电位VB、VE、VC之间应满足何种关系？（ ）
A.VC>VB>VE
B.VC>VE>VB
C.VC<VB<VE
D.VC<VE<VB

15.反馈放大器工作在开环状态是指（ ）
A.考虑信号源作用
B.接入反馈网络
C.断开反馈网络
D.考虑负载作用