浙江理工大学学术型硕士《半导体物理》2011年考研大纲

　　考试科目：半导体物理 代码： 928 
　　一、主要参考书：《半导体物理学》，刘恩科等编著（第6版），电子工业出版社
　　二、考试大纲：
　　第一章 半导体中的电子状态
　　半导体的晶格结构和结合性质，半导体的电子状态和能带，半导体中的电子运动，有效质量的概念，本征半导体的导电机构，空穴的概念，回旋共振，硅、锗的能带结构。
　　第二章 半导体中杂质和缺陷能级
　　硅、锗晶体及III-V族化合物中的杂质能级，缺陷、位错能级。
　　第三章 半导体中载流子的统计分布
　　状态密度，费米能级和载流子的统计分布，本征半导体载流子浓度，杂质半导体载流子浓度，一般情况下的载流子统计分布，简并半导体。
　　第四章 半导体的导电性
　　载流子的漂移运动和迁移率，载流子散射，迁移率与杂质浓度和温度的关系，波尔兹曼方程、电导率的统计理论，强电场下的效应，多能谷散射。
　　第五章 非平衡载流子
　　非平衡载流子注入与复合，非平衡载流子的寿命，准费米能级，复合理论，陷阱效应，载流子的扩散运动与漂移运动，爱恩斯坦关系式，连续性方程。
　　第六章 pn结
　　pn结的能带图，pn结电流电压特性，pn结电容，pn结击穿，pn结隧道效应。
　　第七章 金属和半导体的接触，半导体表面与MIS结构
　　金属和半导体的接触及其能级图，金属半导体接触整流理论，少数载流子的注入和欧姆接触。表面态，表面电场效应，MIS结构的电容－电压特性，硅－二氧化硅系统的性质，表面电导及迁移率，表面电场对pn结特性的影响。
　　第八章 半导体的光电、热电、磁电和压阻效应，半导体异质结构
　　半导体的光吸收、光导电、光生伏特效应，半导体发光、激光。半导体热传导，热导率，温差电效应，温差电动势率，塞贝克效应，温差电偶，帕尔贴效应，汤姆逊效应，霍尔效应，磁阻效应，光磁电效应，压阻效应，异质结。
　　三、题型比例：
　　名词解释 30%左右
　　选 择 题 20%左右
　　问答和计算题 50%左右